Les performances des substrats de gallium oxyde de type VB de 4 pouces de JAC atteignent un niveau avancé international.

Le 20 février, les données Jinshu ont appris du Hangzhou Institute of Opto-Mechatronics que la société incubée par Hangzhou Optical Machine Institute, Hangzhou Fujia Gallium Industry, a réalisé une percée majeure dans le domaine de la croissance cristalline de gallium oxyde par la méthode Bridgman verticale (VB). Les tests ont montré que la qualité des cristaux individuels atteint un niveau avancé sur le plan international. La société lance actuellement sur le marché des équipements de croissance cristalline et des kits de procédés. Les résultats des tests montrent qu’aucun jumeau n’est présent à l’intérieur des cristaux VB de 4 pouces cultivés à l’aide de l’équipement de Fujia Gallium Industry, et que la largeur totale à mi-hauteur (FWHM) du substrat monocristallin XRD est inférieure à 50 arcsec, ce qui est comparable à la qualité des substrats monocristallins d’oxyde de gallium préparés par la méthode de moulage directif, et les performances atteignent un niveau avancé sur le plan international.