SK海力士在下一代HBM4芯片上實現了一個關鍵裏程碑

SK海力士已完成HBM4的開發，這是其下一代超高性能人工智能內存產品。該公司還爲其客戶建立了這些高帶寬內存芯片的批量生產系統。

這家韓國公司聲稱，這種半導體芯片可以垂直互連多個DRAM芯片，並提高與傳統DRAM產品相比的數據處理速度。SK海力士相信，HBM4芯片的量產將引領人工智能行業。

SK Hynix準備大規模生產HBM4

SK海力士基於最近對人工智能和數據處理需求的急劇增加，開發了其產品，這需要高帶寬內存以提高系統速度。該公司還認爲，確保內存的能效已成爲客戶的關鍵要求，因爲數據中心的能源消耗已經飆升。

半導體供應商預計，HBM4 更高的帶寬和能效將是滿足客戶需求的最佳解決方案。下一代 HBM4 的生產涉及將芯片垂直堆疊，以節省空間並降低能耗，這有助於處理由復雜的 AI 應用生成的大量數據。

SK Hynix的一位高管表示：“HBM4的開發完成將成爲行業的新裏程碑。通過及時提供滿足客戶對性能、能效和可靠性需求的產品，公司將實現上市時間並保持競爭地位。”

這家韓國公司透露，其新產品在行業中具有最佳的數據處理速度和能效。根據報告，該芯片的帶寬相較於上一代已經翻倍，採用了2,048個I/O終端，其能效提高了40%以上。

SK海力士還聲稱，HBM4將在應用該產品時使AI服務的性能提高多達69%。該倡議旨在解決數據瓶頸並降低數據中心的能源成本。

該公司透露，HBM4的操作速度超過了(JEDEC) (8Gbps)的電子設備工程委員會標準速度，通過在產品中集成超過10Gbps。JEDEC是一個全球標準化機構，負責爲微電子行業開發開放標準和出版物。

SK Hynix 還在 HBM4 中引入了先進的 MR-MUF ( 大規模重流模塑填充 ) 過程，可以堆疊芯片並在它們之間注入液體保護材料，以保護芯片之間的電路並使其硬化。

該公司聲稱，該過程已被證明在市場上更可靠且更有效於散熱，相比於爲每個芯片堆放置薄膜材料的方法。SK Hynix認爲，其先進的MR-MUF技術有助於通過提供良好的變形控制和降低堆疊芯片的壓力，確保HBM的穩定大規模生產。

該公司還採用了1bnm工藝，這是HBM4中10納米技術的第五代。SK海力士表示，這有助於降低市場生產風險。該公司的高管表示，SK海力士計劃成爲AI內存的全面供應商，提供行業所需的最佳質量和多樣化性能的內存產品。

SK Hynix的股票大幅漲

在HBM4發布後，SK海力士的股價達到了歷史最高點，漲幅達到6.60%，達到327,500 KRW ($235.59)。該公司的股價在過去五天內也上漲了大約17.5%，在過去一個月內幾乎上漲了22%。

一位證券公司的高級分析師預測，該公司的 HBM 市場份額將在 2026 年保持在 60% 的低端區間。他認爲這將得到早期向關鍵客戶供應 HBM4 的支持，以及由此帶來的先發優勢。

SK Hynix 向一家重要科技公司供應最多的 HBM 半導體芯片，其次是其他制造商提供較小的數量。該公司的高管預計，AI 內存芯片市場將以每年 30% 的速度增長，直到 2030 年。

高管表示，最終用戶對人工智能的需求非常強勁。他還預見到，雲計算公司在人工智能上的數十億美元資本支出將在未來上調。