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记忆体短缺推波助澜,华邦电(2344)否极泰来迎来产业拐点,股价站上67.9元
产业结构性缺口浮现,传统存储器迎来否极泰来时刻
2025年存储器市场出现了一次根本性的供需反转。当全球芯片大厂将主要产能集中投入高毛利的高频宽存储器(HBM)和新一代高端产品时,传统的DRAM与闪存(Flash)却陷入了供给紧张的局面。这一转变为华邦电这样的传统存储器制造商带来了久违的发展机遇。
主要原因在于,DDR4规格存储器市场自第三季起出现了根本性的供需反转。在国际大厂优先配置产能给DDR5及HBM的同时,中国大陆同业也同步调整产能配置,导致DDR4供给急剧下降。而下游应用端——包括企业级固态硬盘(eSSD)、工业电脑与车用电子等主流存储装置,仍然必须搭配DDR4存储器,因此实际需求远超市场预期。
这种否极泰来的景象在库存数据上表现得尤为明显。主要DRAM供应商的平均库存周数已从去年底的13至17周,缩短至今年10月的仅2至4周。华邦电、旺宏等本地制造商的库存周转天数,也从传统的185天水准下降至140天左右,反映出营收与获利能力的实质改善。
华邦电今日强势涨停,股价蓄势挑战69.1元关卡
在存储器价格上涨的强劲预期驱动下,华邦电(2344)今日股价表现亮眼。开高走高的走势中,成交量于上午10时便突破20万张,最终攻上涨停价67.9元,涨幅高达9.87%。此举也带动了包括旺宏、力积电等存储器族群全面走扬,成为盘面焦点。
更令人瞩目的是,这已经是华邦电连续第三个交易日上扬,累计涨幅达20.37%,成交量与成交值双双位居台股之冠。整体大盘指数也成功站上28,000点,气势如虹。目前华邦电股价正蓄势挑战2025年以来的历史前波高点69.1元。
从技术面观察,华邦电股价今日触及布林带上轨,且稳站所有短期均线之上,形成明确的多头排列格局,短线动能强劲。
营收创三年新高,AI应用需求成背后推动力
华邦电最新公布的营运数据进一步确认了市场预期。2025年11月单月合并营收冲上86.29亿元,较上月成长近5%,较去年同期更是大幅增长38.7%,写下超过三年的最佳纪录。累计今年前11个月的总营收已达796.35亿元,年增率为5.85%。
营收强劲成长的背后,正是人工智能应用需求的急速扩张。国际存储器大厂将产能大幅转移至生产高毛利的HBM,因此传统的DRAM与闪存供给受到挤压,华邦电因率先扩增资本支出并获得客户追单,成为此趋势的直接受惠者。
特别值得关注的是存储器报价的剧烈变化。DDR4合约价从今年初每颗仅约新台币1元多的低点,到第四季已呈现5至6倍的惊人涨幅。市场甚至出现DDR4现货价超越DDR5的罕见「价格倒挂」局面。其中,16Gb规格的DDR4供应短缺情况最为严重,现货市场价格已急涨至每颗约100美元的水准,远超业界约45.5美元的参考报价。
法人机构齐声看好,存储器景气周期延续至2026
多家外资机构近期发布的研究报告均对存储器产业后市表达强烈乐观,认为报价上涨动能可望延续至2026年。报告中特别强调,不应急于获利了结。此外,外资机构也预期NOR Flash存储器的供应缺口将在2026年持续扩大,推估其价格在明年第一季便有机会出现超过20%的涨幅。
展望2026年,在供需依旧紧绷的环境下,DRAM合约价将持续攀升,惟涨势可能趋于平缓。其中DDR5与DDR4的价格预估分别约为每颗17元与12元,显示此波强劲循环至少可延续至2026年。市场研究机构预测,全球DDR4存储器的供需缺口将扩大到10%以上。
基于对产业上升周期的坚定看法,外资机构已将华邦电列为优先推荐的投资标的。分析师指出,华邦电、旺宏等台湾存储器制造原厂当前主要受惠于DDR4与DDR5标准型存储器涨价所带动的「外溢效应」,这一波行情仍被视为典型的景气循环标的。
产能扩张双轴推进,法人买盘积极护航
为掌握此波市场需求,华邦电正启动双轴产能扩充计划。台中厂区将持续提升NOR Flash、NAND Flash以及成熟制程DRAM的产出;高雄新厂的DRAM月产能规划将由现阶段的1.5万片晶圆,拉升到2.4万至2.5万片,预计在2026年第一季正式量产更先进的16纳米制程产品。此外,公司的关键技术平台CUBE(晶圆级堆叠)系列,将自2027年开始对营收产生实质贡献。
从资金面来看,法人态度同样积极偏多。根据统计,外资、投信与自营商三大法人同步加码华邦电,合计买超超过5万张,其中外资买盘最为积极,单周买超即超过4.2万张。在产业基本面转佳、产品报价看涨以及筹码趋于集中等多重有利因素支持下,市场对整个存储器族群的未来营运成长抱持高度期待。
未来的市场关键在于下游品牌、工业电脑与车用电子等客户转用DDR5的速度快慢,以及DDR4与DDR5两者之间的价差变化。在人工智能、工控、车用及网络通讯等多元应用需求同步成长的驱动下,华邦电有望在2026年的存储器产业上升周期中,迈入盈利成长最为显著的阶段。