Dados da Jinshi em 25 de julho: Em 24 de julho, a Sanan Semiconductor realizou a cerimônia de entrada de equipamentos M6B na fábrica de chips, marcando a iminente conclusão da segunda fase do projeto SiC da Sanan. O investimento total do projeto SiC da Sanan atinge 16 bilhões de RMB. Após a conclusão do projeto, terá a capacidade de produzir 360.000 wafers de 6 polegadas de SiC e 480.000 wafers de 8 polegadas de SiC por ano. Prevê-se que até dezembro deste ano, o M6B estará operacional e os chips de SiC de 8 polegadas serão oficialmente produzidos.
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A fábrica de chips M6B da Sanan Semiconductor Co., Ltd. mudou-se e espera-se que a produção de chips SiC de 8 polegadas comece em dezembro.
Dados da Jinshi em 25 de julho: Em 24 de julho, a Sanan Semiconductor realizou a cerimônia de entrada de equipamentos M6B na fábrica de chips, marcando a iminente conclusão da segunda fase do projeto SiC da Sanan. O investimento total do projeto SiC da Sanan atinge 16 bilhões de RMB. Após a conclusão do projeto, terá a capacidade de produzir 360.000 wafers de 6 polegadas de SiC e 480.000 wafers de 8 polegadas de SiC por ano. Prevê-se que até dezembro deste ano, o M6B estará operacional e os chips de SiC de 8 polegadas serão oficialmente produzidos.