Ngày 25 tháng 7, dữ liệu của Jinshi cho biết, ngày 24 tháng 7, Sanan Semiconductor đã tổ chức lễ nhập cảnh thiết bị nhà máy M6B của dự án SiC, đánh dấu giai đoạn hai của dự án SiC của Sanan đang sắp được triển khai. Dự án SiC của Sanan có tổng vốn đầu tư lên đến 16 tỷ nhân dân tệ và sau khi hoàn thành, sẽ có khả năng sản xuất hàng năm 360.000 tấm wafer 6 inch SiC và 480.000 tấm wafer 8 inch SiC. Dự kiến đến tháng 12 năm nay, M6B sẽ được kích hoạt và chip SiC 8 inch sẽ được sản xuất chính thức.
Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
Nhà máy chip 2 của Sino-semi đang được trang bị thiết bị M6B, dự kiến sẽ sản xuất chip SiC 8 inch vào tháng 12
Ngày 25 tháng 7, dữ liệu của Jinshi cho biết, ngày 24 tháng 7, Sanan Semiconductor đã tổ chức lễ nhập cảnh thiết bị nhà máy M6B của dự án SiC, đánh dấu giai đoạn hai của dự án SiC của Sanan đang sắp được triển khai. Dự án SiC của Sanan có tổng vốn đầu tư lên đến 16 tỷ nhân dân tệ và sau khi hoàn thành, sẽ có khả năng sản xuất hàng năm 360.000 tấm wafer 6 inch SiC và 480.000 tấm wafer 8 inch SiC. Dự kiến đến tháng 12 năm nay, M6B sẽ được kích hoạt và chip SiC 8 inch sẽ được sản xuất chính thức.