三安半导体芯片二厂M6B设备搬入 预计12月8吋SiC芯片投产

金十数据7月25日讯,7月24日,三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式,标志着三安SiC项目二期通线在即。三安SiC项目总投资达160亿人民币,项目达产后,将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。预计到今年12月,M6B将实现点亮通线,8吋SiC芯片将正式投产。

此页面可能包含第三方内容,仅供参考(非陈述/保证),不应被视为 Gate 认可其观点表述,也不得被视为财务或专业建议。详见声明
  • 赞赏
  • 评论
  • 转发
  • 分享
评论
0/400
暂无评论
交易,随时随地
qrCode
扫码下载 Gate App
社群列表
简体中文
  • 简体中文
  • English
  • Tiếng Việt
  • 繁體中文
  • Español
  • Русский
  • Français (Afrique)
  • Português (Portugal)
  • Bahasa Indonesia
  • 日本語
  • بالعربية
  • Українська
  • Português (Brasil)